三星電子明日將發(fā)布2016年業(yè)績 預報顯示將創(chuàng)新高

　　1月24日，三星電子即將公布2016年全年業(yè)績。2016年，三星電子經(jīng)歷了Note7手機爆炸事故與召回、三星洗衣機召回等多個事件。不過，從此前三星電子給出的業(yè)績預報來看，2016年三星的業(yè)績非但沒有跌入谷底，反而將再創(chuàng)新高。這是由于三星傳統(tǒng)的半導體、芯片等業(yè)務表現(xiàn)特別出色。

　　三星業(yè)績預報超預期

　　根據(jù)1月上旬三星電子公布的盈利預測顯示，2016年第四季度該公司營業(yè)利潤將達到9.2萬億韓元（78億美元），同比猛增50%，創(chuàng)下三年來最高水平，也超出8.29萬億韓元的預期；銷售額為53萬億韓元，超出52.1萬億韓元的預期。三星預計，2016年該公司全年營業(yè)利潤為29.22萬億韓元，銷售額則將達到201.54萬億韓元。

　　分析師們認為，三星電子今年業(yè)績良好的最大功臣是半導體業(yè)務的突出貢獻。韓國券商Kiwoom Securities分析師Daniel Yoo表示，若三星盈利超出預期，半導體部門將是最大功臣。同時，HMC證券投資公司Greg Roh也表示，記憶芯片業(yè)務和OLED銷售是本次三星盈利超預期的最大原因，由于供給短缺仍然持續(xù)，芯片價格在第一季度可能上漲超過30%。

　　三星在存儲芯片市場份額居首位

　　對于普通消費者來說，“半導體”的名字似乎很陌生，事實上，在互聯(lián)網(wǎng)時代，差不多人人都依賴“半導體”而生活。半導體被稱為“電子產(chǎn)業(yè)的大米”，是電子產(chǎn)業(yè)不可或缺的重要組成部分。

　　三星電子于1974年收購韓國半導體的股份，正式進入半導體產(chǎn)業(yè)；并在接下來的10年間，進入了需要尖端技術的高集成半導體產(chǎn)業(yè)。1983年，在韓國首次成功開發(fā)出64Kb D DRAM ，成為世界上第三個掌握這一技術的企業(yè)，并因此在國際市場聲名鵲起。2013年8月，三星電子的64Kb D DRAM被指定為韓國注冊文化遺產(chǎn)。

　　2016年9月，三星發(fā)布了搭載第3代(48堆疊)V-NAND的“960 PRO 2TB”，幾乎達到了世界最高水平。它在容量和速度方面表現(xiàn)不同凡響，比原有消費級 NVMe SSD快3倍，大大縮短啟動電腦、運行游戲和應用、圖片編輯程序驅(qū)動等所需的時間，最快可達到“傳輸一部電影只需1秒”。

　　目前，三星電子憑借半導體制造等工藝，在存儲芯片市場占有第一位的市場份額，在DRAM市場占有超過四成的市場份額，半導體制造工藝直追全球一哥英特爾，整體半導體收入已接近英特爾。

　　三星半導體在中國設有研發(fā)中心和工廠

　　三星的半導體業(yè)務目前在中國也設有研發(fā)中心和工廠。除了位于杭州、蘇州的三星半導體（中國）研究開發(fā)有限公司，位于西安的西安三星電子研究有限公司，還在西安設有生產(chǎn)基地三星(中國)半導體有限公司。

　　位于西安的三星(中國)半導體有限公司是改革開放以來陜西省引進的最大的外商投資項目，也是國內(nèi)最大的電子類外商投資高新技術產(chǎn)業(yè)項目。該項目的落戶，直接解決了1500人左右的就業(yè)問題，而隨著隨著三星項目整體建設的快速推進，一批與三星項目密切相關的配套企業(yè)陸續(xù)落戶高新區(qū)，吸引了包括美國空氣化工、日本住友、韓國東進世美肯、華訊微電子等一大批國內(nèi)外企業(yè)入駐高新區(qū)。

　　該公司于2012年9月開工建設，于2014年5月9日正式竣工。主要生產(chǎn)10納米級NAND閃存芯片（V－NAND）。僅一年，產(chǎn)值就突破百億。據(jù)悉，這種10納米級的閃存芯片是目前三星最先進、最尖端的閃存芯片，該技術加上三星自主研發(fā)的低耗能技術，與20納米級4GB移動D DRAM相比，容量增加2倍, 單位容量(GB)能效提高了約2倍，進一步提升了新一代移動設備的使用便利性。這種閃存芯片可以讓移動設備和高端PC一樣，暢享快速流暢的高配置虛擬機環(huán)境和4K UHD視頻。

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